| 项目 | 参数 |
|---|---|
| 键合工艺适用范围 | TCB-NCP、C2与C4工艺、FO-WLP工艺 |
| 键合精度 | ±1.5 μm |
| 产能 (UPH) | 双头双工位，600片 |
| 键合压力 | 2–490N |
| 键合工具设定温度 | RT–450℃ ±5℃（1℃ 步进，脉冲加热） |
| 邦头升温速率 | ＞Max100℃/sec |
| 邦头冷却速率 | Max80℃/sec |
| 键合平台设定温度 | RT–200 （1℃ 步进） |
| 芯片尺寸 | 最小～最大：1–22mm，厚度0.02–0.7mm |
| 环框晶圆尺寸 | Φ300mm |
| 承载晶圆尺寸 | Φ300mm |
用于2.5D/3D C2S（Chip to Substrate）及C2W（Chip to Wafer）封装的核心设备 双系统结构的热压方式超精密键合设备，实现生产效率最大化与设备小型化的系统 适用于12英寸晶圆 键合精度±1.5μm
| 项目 | 参数 |
|---|---|
| 键合工艺适用范围 | TCB-NCP、C2与C4工艺、FO-WLP工艺 |
| 键合精度 | ±1.5 μm |
| 产能 (UPH) | 双头双工位，600片 |
| 键合压力 | 2–490N |
| 键合工具设定温度 | RT–450℃ ±5℃（1℃ 步进，脉冲加热） |
| 邦头升温速率 | ＞Max100℃/sec |
| 邦头冷却速率 | Max80℃/sec |
| 键合平台设定温度 | RT–200 （1℃ 步进） |
| 芯片尺寸 | 最小～最大：1–22mm，厚度0.02–0.7mm |
| 环框晶圆尺寸 | Φ300mm |
| 承载晶圆尺寸 | Φ300mm |
